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华强北首页>内存硬盘频道>内存新闻>综合
综合内存新闻
2019-03-22综合|三星第三代10nm工艺DDR4内存下半年量产 将服务于高端应用场景
三星电子宣布开发出业内首款基于第三代10nm级工艺的DRAM内存芯片,将服务于高端应用场景,这距离三星量产1y nm 8Gb DDR4内存芯片仅过去16个月。...查看全文>>
标签:三星
2019-03-21综合|三星推出业界首款HBM2E内存产品 将每个针脚带宽提高33%
在英伟达的GTC 2019大会上,三星发布了新的Flashbolt高带宽内存(HBM),据称是业界首款符合HBM2E规范的内存产品。...查看全文>>
标签:三星
2019-03-14综合|三星宣布已开始大规模生产业界首款12G LPDDR4X手机内存
根据官方的消息,三星今天宣布已开始大规模生产业界首款12G LPDDR4X手机内存,新的移动DRAM具有比大多数超薄笔记本电脑更高的容量,使用户能够充分利用下一代智能手机的性能。...查看全文>>
标签:三星
2019-03-14综合|西数正在开发自家LLF低延迟闪存 将提供更高性能和耐用性
根据外媒的报道,西数正在开发自己的LLF低延迟闪存,与传统的3D NAND相比,它将提供更高的性能和耐用性,最终用于与英特尔的傲腾存储竞争。...查看全文>>
标签:西数
2019-03-07综合|东芝和西部数据现正研发128层3D NAND 将命名BiCS-5
根据外媒的报道,东芝及其战略盟友西部数据准备推出更高密度128层3D NAND闪存。在东芝的命名法中,该芯片将命名为BiCS-5。...查看全文>>
标签:东芝
2019-03-07综合|三星量产eMRAM嵌入式磁阻内存 可兼做内存和硬盘
就在不久前,Intel宣布已经准备好大规模量产MRAM(磁阻式随机访问内存),这种综合了RAM内存、NAND闪存的新型非易失性存储介质断电后不会丢失数据,写入速度则数千倍于闪存,可以兼做内存和硬盘,甚至统一两者。...查看全文>>
标签:三星
2019-03-06综合|96层3D闪存产量增加 未来NAND闪存市场将出现严重供大于求阶段
和其他电子产品涨价不同的是,SSD的价格还过去一段时间内一直呈现下降的趋势,而有消息表示这种下降的情况还将继续出现,甚至会愈演愈烈。...查看全文>>
标签:闪存
2019-02-27综合|美光用Micron主品牌复出 c200系列提供128GB到1TB不等选项
美光(Micron)旗下的消费级存储品牌雷克沙(Lexar),发展已停滞一年半左右。...查看全文>>
标签:美光
2019-02-26综合|美光发布旗下首款1TB内存卡 提供高达100MB/s读取速度
根据外媒的报道,美光公司展示了他们的第一枚1TB MicroSD卡,这是一张采用该公司96层3DQLC NAND技术的UHS-I闪存卡,旨在为那些拍摄4K视频的人提供大量存储空间。...查看全文>>
标签:内存卡
2019-02-25综合|闪迪发布世界最快1TB内存卡 达到创纪录速度
根据IT之家前方编辑发回的报道,在世界移动通信大会MWC 2019上,西部数据旗下的闪迪公司展示了世界上最快的1TB UHS-I microSD闪存卡,即1TB SanDisk Extreme UHS-I microSDXC卡。...查看全文>>
标签:内存
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